2024 堆叠式图像传感器进展汇总
2016 年，IMX260 （三星 Galaxy S9 系列）首发直接互联/混合键合（DBI Hybrid Bond）堆叠式结构（Sony Gen 3），铜端子（Cu-Cu DBI）间距约 6μm 上下。
2016 年，由于无法解决背照式（BSI）全局快门，电荷缓存漏光问题，索尼提出用于前照式（FSI）的芯片级互联方案（Chip on Chip），互联端子间距为 20μm。
2018 年，索尼展示像素级互联密度的堆叠式图像传感器方案（Sony Gen 5），采用 6μm 互联端子间距，但需注意原型机像素尺寸高达 6.9μm。
2018 年下半年索尼推出第二代直接互联/混合互联，铜端子间距约 3μm 上下（3.1μm），IMX586 （Sony Gen 3）首发。
2021 年索尼为双像素层所需的高密度互联提出顺序集成工艺，将硅穿孔的间距缩小到 0.7μm 以下。
2022 年索尼展示基于硅穿孔和直接互联的三层堆叠方案（原 Sony Gen 6），其中直接互联端子（Cu-Cu DBI）间距缩小到 1.4μm。
2023 年索尼展示 6μm 直接互联端子间距的芯片级互联方案（Chip on Wafer）。
2023 年索尼首款双像素层图像传感器 IMX888 推向市场，硅穿孔最小间距仅有 0.46μm。同时，铜端子间距缩小到 1.12μm。互联密度已经达到像素密度。
2024 年索尼展示 0.4μm 互联端子间距的直接互联/混合键合方案。
2024 年索尼展示基于硅穿孔和直接互联的第二代三层堆叠方案，铜端子间距缩小到 1μm，硅穿孔间距缩小到 6μm。
三星：
2016 年推出基于硅穿孔（TSV）的第一代堆叠式图像传感器（S5K2L1），硅穿孔间距 5μm。
2020 年发布的 S5KGM5？首次被发现使用了直接互联/混合键合（DBI Hybrid Bond）互联端子间距为 4μm。
2022 年三星展示了在 1.8μm 像素尺寸下实现像素级铜端子直接互联（Pixel-level
Cu-to-Cu
Bonding
）。
2023 年三星展示了端子间距小于 1μm 的基于硅穿孔和直接互联的三层堆叠方案，以实现双像素层功能。
豪威：
2014 年推出基于硅穿孔（TSV）的堆叠式图像传感器（PureCel®-S），对内称为第一代（背照）堆叠式（omnivision Gen 1）。
2017 年第二代硅穿孔（TSV）被发现，间距 4μm 左右。
2018 年豪威展示世界最小间距（1.5μm）像素级互联的混合键合堆叠式图像传感器。
佳能：
2021 年 EOS R3 搭载的佳能首款堆叠式图像传感器 LC1720 采用直接互联/混合键合，端子间距 6μm。
2023 年 MS-500 搭载的 SPAD 图像传感器 LBC010，采用直接互联/混合键合，互联端子间距为 3.1μm。
海力士：
计划 2018 年量产基于硅穿孔（TSV）的堆叠式图像传感器。
2022 年混合键合（55G0AB）互联端子间距达到 8μm。
高塔：
2021 年（GFOF0503）推出互联端子间距小到 2.5μm。
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